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一种带补偿的电流采样电路
引用本文:肖天成,罗萍,肖皓洋,郑心易,詹珍雅.一种带补偿的电流采样电路[J].微电子学,2018,48(5):610-614.
作者姓名:肖天成  罗萍  肖皓洋  郑心易  詹珍雅
作者单位:电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054,电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054,电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054,电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054,电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054
基金项目:十三五共用信息预先研究项目(31513030204,31513030209)
摘    要:采用0.35 μm CMOS工艺,设计了一种电流采样电路。分析了传统senseFET电流采样电路中采样速度与采样范围之间的制约关系。提出了一种带有采样电流补偿的电流采样电路,通过注入补偿电流,加快了采样电路环路响应速度,同时拓展了电流采样下限。该电流采样电路被用于10 MHz开关频率的电流模Buck变换器中。仿真结果显示,所提出的电流采样电路在全负载范围内实现了精确快速的电感电流采样功能。

关 键 词:senseFET采样电路    采样电流补偿    全负载范围
收稿时间:2017/12/27 0:00:00

A Current Sensor with Sensed Current Compensation Scheme
XIAO Tiancheng,LUO Ping,XIAO Haoyang,ZHENG Xinyi and ZHAN Zhenya.A Current Sensor with Sensed Current Compensation Scheme[J].Microelectronics,2018,48(5):610-614.
Authors:XIAO Tiancheng  LUO Ping  XIAO Haoyang  ZHENG Xinyi and ZHAN Zhenya
Affiliation:State Key Lab. of Elec. Thin Films and Integr. Dev., Univ. of Elec. Sci. and Technol. of China, Chengdu 610054, P. R. China,State Key Lab. of Elec. Thin Films and Integr. Dev., Univ. of Elec. Sci. and Technol. of China, Chengdu 610054, P. R. China,State Key Lab. of Elec. Thin Films and Integr. Dev., Univ. of Elec. Sci. and Technol. of China, Chengdu 610054, P. R. China,State Key Lab. of Elec. Thin Films and Integr. Dev., Univ. of Elec. Sci. and Technol. of China, Chengdu 610054, P. R. China and State Key Lab. of Elec. Thin Films and Integr. Dev., Univ. of Elec. Sci. and Technol. of China, Chengdu 610054, P. R. China
Abstract:
Keywords:senseFET current sensor  sensed current compensation  full range of load current
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