| 基于入射距离的一维瞬态电流源注入模型研究 |
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| 引用本文： | 文琦琪,周婉婷,李磊.基于入射距离的一维瞬态电流源注入模型研究[J].微电子学,2018,48(6):806-810, 814. |
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| 作者姓名： | 文琦琪 周婉婷 李磊 |
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| 作者单位： | 电子科技大学 电子科学技术研究院, 成都 611731,电子科技大学 电子科学技术研究院, 成都 611731,电子科技大学 电子科学技术研究院, 成都 611731 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金联合基金资助项目(U1630133)；中央高校基本科研业务费资助项目(ZYGX2016J185) |
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| 摘 要： | 在深亚微米工艺下,单粒子效应引入的瞬态电流与粒子入射位置有关。基于粒子入射距离,提出了一种针对电路级仿真的一维瞬态电流源注入模型。结果显示,电流源模型与三维TCAD仿真得到的瞬态电流形状拟合更好,NMOS和PMOS器件收集电荷量的计算误差分别下降了66.9%和65.0%。提出的电流源模型能够精确地反映粒子入射位置改变时6T SRAM电路的翻转情况,能更好地用于大规模集成电路的单粒子效应电路级模拟分析。
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| 关 键 词： | 单粒子效应 瞬态电流源模型 电路级仿真 SRAM |
| 收稿时间： | 2018/2/9 0:00:00 |
Research of 1D Transient Current Source Model Based on Strike Distance |
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| WEN Qiqi,ZHOU Wanting and LI Lei.Research of 1D Transient Current Source Model Based on Strike Distance[J].Microelectronics,2018,48(6):806-810, 814. |
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| Authors: | WEN Qiqi ZHOU Wanting and LI Lei |
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| Affiliation: | Research Institute of Electronic Science and Technology, UESTC, Chengdu 611731, P. R. China,Research Institute of Electronic Science and Technology, UESTC, Chengdu 611731, P. R. China and Research Institute of Electronic Science and Technology, UESTC, Chengdu 611731, P. R. China |
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