| 衬底电压自举结构的10位120 MS/s SAR ADC |
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| 引用本文： | 陈光炳,徐代果,李曦. 衬底电压自举结构的10位120 MS/s SAR ADC[J]. 微电子学, 2018, 48(6): 722-727 |
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| 作者姓名： | 陈光炳 徐代果 李曦 |
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| 作者单位： | 模拟集成电路国家重点实验室, 重庆 400060,模拟集成电路国家重点实验室, 重庆 400060,中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060 |
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| 基金项目： | 模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(0C09YJTJ1603) |
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| 摘 要： | 基于采样管衬底电压自举结构,提出了一种高线性低阻抗采样开关技术。在保证采样开关等效输入阻抗较小的同时,实现了采样开关的源/漏极与衬底之间的寄生电容不随输入信号幅度的变化而变化；减小了动态比较器输入管的等效导通电阻,提高了动态比较器输入管的跨导,解决了动态比较器的速度与噪声折中的难题。基于65 nm CMOS工艺,设计了一种10位120 MS/s SAR ADC。在1 V电源电压下,功耗为1.2 mW,信号噪声失真比SNDR> 55 dB,无杂散动态范围SFDR> 68 dB,在奈奎斯特采样情况下,优值(FoM)为22 fJ/(conv·step)。
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| 关 键 词： | 衬底电压自举 高线性低阻抗开关 高速低噪声比较器 |
| 收稿时间： | 2018-06-12 |
A 10 bit 120 MS/s SAR ADC Based on Substrate Voltage Boost Structure |
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| CHEN Guangbing,XU Daiguo and LI Xi. A 10 bit 120 MS/s SAR ADC Based on Substrate Voltage Boost Structure[J]. Microelectronics, 2018, 48(6): 722-727 |
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| Authors: | CHEN Guangbing XU Daiguo LI Xi |
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| Affiliation: | Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory, Chongqing 400060, P.R.China,Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory, Chongqing 400060, P.R.China and Sichuan Institute of Solid-State Circuits, China Electronics Technology Group Corp., Chongqing 400060, P.R.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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