Si衬底上MOCVD生长AlN的预铺铝机理研究

介绍了在Si(111)衬底上MOCVD外延生长高质量AlN成核层,系统研究了预铺铝时间对成核层的影响。分别利用扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率X射线衍射(HRXRD)对AlN层的表面形貌和晶格质量进行表征。实验结果表明,优化的预铺铝时间可以促进AlN成核层生长模式由3D向2D的转变。有效提高了AlN成核层的表面形貌,还可以提高其晶格质量。结合实验现象,根据预铺铝阶段在硅片表面发生的化学反应,提出相应的生长模型,讨论了预铺铝时间和AlN生长模式的关系,在理论上解释了预铺铝时间对AlN成核层生长的影响。