| 电子逃逸效应对PIN探测器γ灵敏度的影响 |
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| 引用本文： | 杨建伦,李如荣,徐荣昆,杨高照,钟耀华,李林波,王真.电子逃逸效应对PIN探测器γ灵敏度的影响[J].核电子学与探测技术,2006,26(6):739-741. |
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| 作者姓名： | 杨建伦 李如荣 徐荣昆 杨高照 钟耀华 李林波 王真 |
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| 作者单位： | 中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川绵阳,621900;中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川绵阳,621900;中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川绵阳,621900;中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川绵阳,621900;中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川绵阳,621900;中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川绵阳,621900;中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川绵阳,621900 |
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| 基金项目： | 中国工程物理研究院预研项目 |
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| 摘 要： | 通过数值模拟和实验研究了电子逃逸效应对PIN探测器γ灵敏度的影响及铝、聚乙烯等不同材料对电子逃逸效应的补偿作用.数值模拟研究主要利用MCNP程序对γ射线在PIN探测器灵敏层中的能量沉积进行数值计算,得到探测器输出的脉冲幅度谱和灵敏度计算结果;实验研究利用60Co源发射的能量为1.17和1.33MeV的γ射线对不同补偿条件下的γ灵敏度进行标定.结果表明,电子逃逸效应对灵敏度存在显著影响,在探测器前设置铝、聚乙烯等补偿材料可对电子逃逸效应进行适当补偿.
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| 关 键 词： | PIN探测器 γ灵敏度 电子逃逸 |
| 文章编号： | 0258-0934(2006)06-0739-03 |
| 修稿时间： | 2006年3月14日 |
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