进入完成阶段的1M位动态RAM的开发

1985～1986年主要厂家将制作出1M位动态RAM样品。目前,各公司正在抓紧进行方案拟定、设计以及制造技术的研究工作。品种确实增加了。增加了×4结构的比重。规定了一套封装的标准。使用的技术与目前各公司制作256k的技术相同。最初使用的技术是从256k的技术基础上发展而来的。引人注目的存储单元结构中除一部分外,是以往通用的平面型结构。这种结构的芯片面积是60～65mm~2。为了使面积进一步缩小,采用开槽型或堆栈型(积未型)结构。前一种缩小面积的结构可以在1M以下时使用。设计规范大致是1.2μm。有的厂家兼用nMOS和CMOS工艺,有的厂家集中使用CMOS工艺。