0.6～18.0 GHz超宽带低噪声放大器MMIC

基于0.15μm GaAs E-pHEMT工艺设计并制备了一款0.6～18.0 GHz的低噪声放大器单片微波集成电路。该放大器使用一级共源共栅结构，通过负反馈实现宽带的匹配设计。同时在共栅晶体管栅极增加到地电容，共源管和共栅管漏极增加峰化电感，以提高高频增益，扩展带宽，改善噪声。常温在片测试结果表明，在3.3 V单电源供电下，0.6～18.0 GHz频带内该款低噪声放大器噪声系数典型值1.5 dB，小信号增益约15 dB，增益平坦度小于±0.9 dB，输入、输出电压驻波比典型值分别为1.7和1.8,1 dB压缩点输出功率典型值14 dBm，功耗72.6 mW，芯片面积1.5 mm×1.2 mm。