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| IC制造中的真实缺陷轮廓表征方法研究 | |
| 引用本文： | 姜晓鸿,郝跃,徐国华. IC制造中的真实缺陷轮廓表征方法研究[J]. 电子学报, 1998, 26(2): 11-14,30 |
| 作者姓名： | 姜晓鸿 郝跃 徐国华 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学 |
| 摘 要： | 为了进行有效的集成电路成品率预报及故障分析，与光刻有关的硅片表面缺陷通常被假定为圆形的或方形的，然而，真实缺陷的形貌是多种多样的，本文提出一种准确的缺陷表征模型。该模型考虑了缺陷的真实轮廓，并且针对短路和开路模式，在引起故障概率相同的意义下将起初缺陷等效为缺陷，实现了硅片表面缺陷的精细表征。 |
| 关 键 词： | 缺陷 成品率 故障概率 IC 制造工艺 |
IC制造中的真实缺陷轮廓表征方法研究 |
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| Keywords: | |
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