| 一种实用的磷化铟MMIC背面工艺技术 |
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| 引用本文： | 李拂晓,杨乃彬.一种实用的磷化铟MMIC背面工艺技术[J].半导体学报,2001,22(12):1497-1500. |
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| 作者姓名： | 李拂晓 杨乃彬 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所 南京210016
(李拂晓)，南京电子器件研究所 南京210016(杨乃彬) |
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| 摘 要： | 采用湿法技术发展了磷化铟 MMIC的背面通孔刻蚀工艺 ,PMMA用作粘片剂 ,In P衬底粘附于玻璃版上 ,溅射钽膜用作湿法刻蚀掩膜 ,HCl+H3PO4 腐蚀液实现 10 0 μm的通孔腐蚀 .已证实这种湿法通孔工艺宽容度大 ,精确可控
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| 关 键 词： | 磷化铟 通孔 MMIC |
A Practical Backside Technology for Indium Phosphide MMICs |
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| LI Fu xiao ,YANG Nai bin ,G Post ,Y Nissim ,A Falcou ,C Courbet ,S Sanchez and A Scavennec.A Practical Backside Technology for Indium Phosphide MMICs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(12):1497-1500. |
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| Authors: | LI Fu xiao YANG Nai bin G Post Y Nissim A Falcou C Courbet S Sanchez and A Scavennec |
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| Affiliation: | LI Fu xiao 1,YANG Nai bin 1,G Post 2,Y Nissim 2,A Falcou 2,C Courbet 2,S Sanchez 2 and A Scavennec 2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | indium phosphide MMICs backside process |
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