| 热处理对氧化铋在8μm～14μm波段内的发射率的影响 |
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| 引用本文： | 胡晨,徐国跃,左永平,程传伟,蔡刚.热处理对氧化铋在8μm～14μm波段内的发射率的影响[J].红外,2008,29(8). |
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| 作者姓名： | 胡晨 徐国跃 左永平 程传伟 蔡刚 |
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| 作者单位： | 南京航空航天大学材料科学与技术学院,江苏,南京,210016 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重大研究计划 |
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| 摘 要： | 本文通过设计正交实验,采用不同的热处理工艺对着色颜料氧化铋粉末进行热处理,随后测量样品在8μm～14μm波段的平均法向发射率,并得出优化的热处理工艺路线;对各个影响因素进行的分析表明,温度是热处理过程中影响样品发射率变化的主要因素,并通过XRD、SEM、EDS等多种表征手段,分析了红外发射率变化的内在机理.结果表明,晶格畸变是引起发射率变化的主要因素,而由气体分子吸附引起的表面成分变化对发射率也有一定的影响.
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| 关 键 词： | 红外发射率 正交实验 氧化铋 热处理 |
Effect of Heat Treatment Process on 8μm～14μm Infrared Emissivity of Bismuth Oxide |
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| HU Chen,XU Guo-yue,ZUO Yong-ping,CHENG Chuan-wei,CAI Gang.Effect of Heat Treatment Process on 8μm～14μm Infrared Emissivity of Bismuth Oxide[J].Infrared,2008,29(8). |
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| Authors: | HU Chen XU Guo-yue ZUO Yong-ping CHENG Chuan-wei CAI Gang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | infrared emissivity orthogonal experimentation bismuth oxide heat treatment |
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