热处理对氧化铋在8μm~14μm波段内的发射率的影响 |
| |
作者姓名: | 胡晨 徐国跃 左永平 程传伟 蔡刚 |
| |
作者单位: | 南京航空航天大学材料科学与技术学院,江苏,南京,210016 |
| |
基金项目: | 国家自然科学基金重大研究计划 |
| |
摘 要: | 本文通过设计正交实验,采用不同的热处理工艺对着色颜料氧化铋粉末进行热处理,随后测量样品在8μm~14μm波段的平均法向发射率,并得出优化的热处理工艺路线;对各个影响因素进行的分析表明,温度是热处理过程中影响样品发射率变化的主要因素,并通过XRD、SEM、EDS等多种表征手段,分析了红外发射率变化的内在机理.结果表明,晶格畸变是引起发射率变化的主要因素,而由气体分子吸附引起的表面成分变化对发射率也有一定的影响.
|
关 键 词: | 红外发射率 正交实验 氧化铋 热处理 |
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录! |
| 点击此处可从《红外》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《红外》下载全文 |
|