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| 单电子晶体管I-V特性数值分析 | |
| 引用本文： | 杜磊,庄奕琪,江文平. 单电子晶体管I-V特性数值分析[J]. 西安电子科技大学学报(自然科学版), 2002, 29(2): 153-157 |
| 作者姓名： | 杜磊 庄奕琪 江文平 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学技术物理学院 陕西西安710071(杜磊，庄奕琪)，西安电子科技大学技术物理学院 陕西西安710071(江文平) |
| 基金项目： | 国家部委基金资助项目 ( 0 0J8 4 3 DZ0 13)，西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室访问学者基金资助项目 |
| 摘 要： | 在单电子晶体管的正统理论的基础上，建立了平稳条件下I-V特性的数值分析方法。应用该方法计算和分析了温度和栅压对单电子晶体管I-V特性的影响，研究了隧道结构电阻对于库仑台阶及电导振荡的影响，分析了单电子现象产生的条件。 |
| 关 键 词： | 单电子晶体管 库仑阻塞 库仑台阶 I－V特性 数据分析 |
| 文章编号： | 1001-2400(2002)02-0153-04 |
A numerical analysis of the I-V property of single electron transistors |
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| DU Lei,ZHUANG Yi qi,JIANG Wen ping. A numerical analysis of the I-V property of single electron transistors[J]. Journal of Xidian University, 2002, 29(2): 153-157 | |
| Authors: | DU Lei ZHUANG Yi qi JIANG Wen ping |
| Abstract: | |
| Keywords: | single electron transistor Coulomb blockade Coulomb staircase master equation |
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