| 恒电流电沉积法制备Cu-In薄膜 |
| |
| 引用本文： | 李健,朱洁. 恒电流电沉积法制备Cu-In薄膜[J]. 金属学报, 2006, 42(6): 667-672 |
| |
| 作者姓名： | 李健 朱洁 |
| |
| 作者单位： | 北京科技大学新金属材料国家重点实验室,北京,100083 |
| |
| 基金项目： | 北京科技大学校科研和教改项目 |
| |
| 摘 要： | 以金属Ti为阳极，不锈钢薄片和镀Mo玻璃为阴极，采用恒电流电沉积的方法制备了化学计量比为1：1、厚度为1μm且致密均匀的CU—In薄膜．分析了镀液离子浓度、电流密度、络合剂含量及添加剂种类对薄膜成分及形貌的影响．在除电流密度外其它工艺条件相同的情况下，采用不同阴极材料为衬底沉积Cu—In薄膜时，薄膜形貌、成分无差别，且电流密度对薄膜的形貌和成分控制起着关键的作用．此外，在镀液离子低浓度范围内，及Cu／In离子浓度比不变的前提下，镀液中金属离子总浓度的改变不会影响镀层的成分和形貌；十二烷基硫酸钠和苯亚磺酸钠可作为理想的辅助添加剂，能改善薄膜形貌，使其表面均匀、规整．由该方法制备的CU—In预置膜可以进一步硒化得到理想的CuInSe2薄膜．
|
| 关 键 词： | Cu-In合金膜 电沉积 表面形貌 合金成分 |
| 文章编号： | 0412-1961（2006）06-0667-06 |
| 收稿时间： | 2005-09-20 |
| 修稿时间： | 2005-09-202005-12-20 |
PREPARATION OF Cu-In FILM BY ELECTRODEPOSITION UNDER CONSTANT CURRENT |
| |
| LI Jian,ZHU Jie. PREPARATION OF Cu-In FILM BY ELECTRODEPOSITION UNDER CONSTANT CURRENT[J]. Acta Metallurgica Sinica, 2006, 42(6): 667-672 |
| |
| Authors: | LI Jian ZHU Jie |
| |
| Affiliation: | State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083 |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Cu-In alloy film electrodeposition surface morphology alloy composition |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《金属学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《金属学报》下载全文 |
