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| 感应耦合等离子体源制备硬质类金刚石膜的研究 | |
| 引用本文： | 俞世吉,马腾才.感应耦合等离子体源制备硬质类金刚石膜的研究[J].核技术,2002(9). |
| 作者姓名： | 俞世吉 马腾才 |
| 作者单位： | 中国科学院电子学研究所 北京100080 (俞世吉)，大连理工大学物理系 大连116024(马腾才) |
| 摘 要： | 采用感应耦合等离子体源 (ICPS)成功地实现了化学气相沉积硬质类金刚石 (DLC)膜 ,并考察了基片负偏压对类金刚石膜沉积过程和薄膜性质的影响。薄膜的微观形貌、显微硬度、沉积速率以及结构成分分析表明感应耦合等离子体源适于制备硬质类金刚石膜 ,并且在相对较低的基片负偏压条件下就可以获得高硬度的类金刚石膜。基片负偏压对类金刚石膜化学气相沉积过程和薄膜性质都有显著影响。 |
| 关 键 词： | 感应耦合等离子体源 类金刚石膜 基片负偏压 |
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