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| 离子束辅助沉积立方氮化硼的试验研究 | |
| 引用本文： | 谭俊,张平,蔡志海,王晓晴,唐云.离子束辅助沉积立方氮化硼的试验研究[J].核技术,2002(9). |
| 作者姓名： | 谭俊 张平 蔡志海 王晓晴 唐云 |
| 作者单位： | 中国机械工程学会表面工程研究所 北京100072 (谭俊，张平)，装甲兵工程学院材料加工教研室 北京100072 (蔡志海，王晓晴)，装甲兵工程学院材料加工教研室 北京100072(唐云) |
| 摘 要： | 本文运用离子束辅助沉积法在硅片上制备了立方氮化硼薄膜 ,主要研究了辅助能量、辅助束流及辅助束中氮气含量等参数对膜中立方氮化硼 (c -BN)含量的影响。用红外光谱 (FTIR)及光电子能谱 (XPS)分析技术对得到的c -BN膜进行了分析。结果表明 :(1)合适的离子辅助能量能够获得c -BN含量高的薄膜。(2 )膜中c -BN的含量随空中N2 含量的提高而增加。 (3)辅助束流对薄膜的形成影响不明显 |
| 关 键 词： | 立方氮化硼薄膜 离子束辅助沉积 XPS分析 FTIR分析 |
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