| 193nm光刻胶的研制 |
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| 引用本文： | 郑金红 黄志齐 陈昕 焦小明 杨澜 文武 高子奇 王艳梅. 193nm光刻胶的研制[J]. 感光科学与光化学, 2005, 23(4): 300-311 |
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| 作者姓名： | 郑金红 黄志齐 陈昕 焦小明 杨澜 文武 高子奇 王艳梅 |
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| 作者单位： | 北京化学试剂研究所，北京100022 |
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| 基金项目： | 国家863项目(2002AA3Z1330). |
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| 摘 要： | 从主体树脂的结构设计、单体的合成工艺、主体树脂的合成工艺、光致产酸剂的评价、配方研究等多个方面论述了193nm光刻胶的研制工艺，合成出了多种适用的单体及多种结构的主体树脂，进行了大量的配方研究，筛选出了最佳配方．研制出的样品经美国SEMATECH实验室应用评价其最佳分辨率为0．1μm，最小曝光量为26mJ／cm^2，不但具有优异的分辨率和光敏性，而且还具有良好的粘附性和抗干法腐蚀性．
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| 关 键 词： | 193nm 光刻胶 单体 主体树脂 光致产酸剂 配方 |
| 文章编号： | 1000-3231(2005)04-0300-12 |
| 修稿时间： | 2004-12-10 |
The Study of 193 nm Photoresist |
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| ZHENG Jin-hong,HUANG Zhi-qi,CHEN Xin,JIAO Xiao-ming,YANG Lan,WEN Wu,GAO Zi-qi,WANG Yan-mei. The Study of 193 nm Photoresist[J]. Photographic Science and Photochemistry, 2005, 23(4): 300-311 |
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| Authors: | ZHENG Jin-hong HUANG Zhi-qi CHEN Xin JIAO Xiao-ming YANG Lan WEN Wu GAO Zi-qi WANG Yan-mei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 193 nm photoresist monomer matrix resin photo-acid generator formulation |
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