| 大尺寸Bi_（12）S_iO_（20）单晶生长的研究 |
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| 引用本文： | 张尚安,魏世道,韩奇阳,胡卫东.大尺寸Bi_（12）S_iO_（20）单晶生长的研究[J].量子电子学报,1994(1). |
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| 作者姓名： | 张尚安 魏世道 韩奇阳 胡卫东 |
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| 作者单位： | 中科院安徽光学精密机械研究所 |
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| 摘 要： | 本文介绍了ＢＳＯ单晶的若干主要性能。报导了用电阻加热提拉法，从φ８０×６０ｍｍ铂金坩埚中生长出φ４０×６０ｍｍ重达８００克左右的优质ＢＳＯ大单晶。研究并确定了生长大尺寸ＢＳＯ晶体的工艺条件，并对晶体中若干主要缺陷进行了观察分析，讨论了它们与生长工艺条件的关系，以及提高晶体质量的主要途经。
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| 关 键 词： | 晶体生长，提拉法，温度梯度晶体缺陷 |
Crystal Growth and Optical Properties of Large Size Single Crystals of Bismuth Silicon Oxide |
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| Zhang Shangan, Wei Shidao,Han Qiyang, Hu Weidong.Crystal Growth and Optical Properties of Large Size Single Crystals of Bismuth Silicon Oxide[J].Chinese Journal of Quantum Electronics,1994(1). |
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| Authors: | Zhang Shangan Wei Shidao Han Qiyang Hu Weidong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | crystal growth Czocharalski method temperature gradient crystaldefect |
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