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Zn-Sn-O透明导电膜的制备和光电性质
引用本文:马瑾,黄树来,计峰,余旭浒,王玉恒,马洪磊. Zn-Sn-O透明导电膜的制备和光电性质[J]. 稀有金属, 2004, 28(3): 519-521
作者姓名:马瑾  黄树来  计峰  余旭浒  王玉恒  马洪磊
作者单位:山东大学物理与微电子学院,山东,济南,250100
基金项目:国家自然科学基金资助项目 ( 60 2 70 44 ),教育部科学技术研究重点项目 ( 0 2 165 )
摘    要:采用射频磁控溅射法在 70 5 9玻璃衬底上低温制备出Zn Sn O透明导电薄膜。制备薄膜为非晶结构 ,并且具有很好的稳定性 ,与玻璃衬底具有良好的附着性。薄膜主要是依靠膜中的氧空位导电 ,薄膜的电阻率强烈地依赖溅射气体中的氧分压。制备薄膜的最低电阻率为 2 2 7×10 - 3Ω·cm ,在可见光范围内的平均透过率达超过 90 %。

关 键 词:透明导电膜 Zn-Sn-O 射频磁控溅射
文章编号:0258-7076(2004)03-0519-03

Preparation and Properties of Conducting Transparent ZnO-SnO2 Films Deposited at Room Temperature
Ma Jin,Huang Shulai,Ji Feng,Yu Xuhu,Wang Yuheng,Ma Honglei. Preparation and Properties of Conducting Transparent ZnO-SnO2 Films Deposited at Room Temperature[J]. Chinese Journal of Rare Metals, 2004, 28(3): 519-521
Authors:Ma Jin  Huang Shulai  Ji Feng  Yu Xuhu  Wang Yuheng  Ma Honglei
Affiliation:Ma Jin~*,Huang Shulai,Ji Feng,Yu Xuhu,Wang Yuheng,Ma Honglei
Abstract:
Keywords:transparent conducting film  ZnO-SnO_2  r.f. magnetron sputtering
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