光刻过程中GaAs的表面沾污

研究了在光刻过程中抗蚀剂膜溶剂“J-100”对 GaAs 的表面沾污。曾发现表面附近电子浓度下降是由于在 J-100中浸泡之后的热处理而引起的。沾污的深度有时达到100微米左右。虽然一些有机溶剂引起的沾污程度比 J-100要小,但是也会产生沾污。在热处理之前,对 GaAs 沾污表面稍加腐蚀或是将沾污的样品浸泡在稀 KCN 溶液中,都能够除掉这种沾污。而且,温度和时间与沾污深度的关系和浸泡在稀 CuSO_4溶液中的样品情况相同。故得出结论,沾污是由这些溶剂中所含的 Cu 原子引起的。