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基于载流子抽取模型的Trench Gate/Field-stop IGBT驱动器有源箝位功能分析
引用本文:陈玉香,罗皓泽,李武华,何湘宁. 基于载流子抽取模型的Trench Gate/Field-stop IGBT驱动器有源箝位功能分析[J]. 电源学报, 2016, 14(6): 136-142
作者姓名:陈玉香  罗皓泽  李武华  何湘宁
作者单位:浙江大学,浙江大学,浙江大学,浙江大学
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划);国家自然科学基金项目(面上项目,重点项目,重大项目)
摘    要:针对Trench gate/Field-stop IGBT结构特有的关断过程中集电极电流下降率不可控问题,引入了载流子抽取模型来模拟器件关断过程中的集电极电流下降阶段器件内部载流子的动态行为特性,并以此为基础分析了驱动器为适应Trench gate/Field-Stop IGBT结构这种关断特性而引入的有源箝位功能的作用机理,验证了载流子抽取模型在器件级与电路级交互作用分析中的实用性,为后续实现器件与电路的最佳匹配奠定了基础。

关 键 词:Trench/Field-Stop IGBT;集电极电流下降率不可控性;载流子抽取模型;有源箝位功能
收稿时间:2015-11-23
修稿时间:2016-11-07

Analysis of Active Clamping Circuit in Trench Gate/Field-stop IGBT Driver with Carrier Extraction Model
CHEN Yuxiang,LUO Haoze,LI Wuhua and HE Xiangning. Analysis of Active Clamping Circuit in Trench Gate/Field-stop IGBT Driver with Carrier Extraction Model[J]. Journal of Power Supply, 2016, 14(6): 136-142
Authors:CHEN Yuxiang  LUO Haoze  LI Wuhua  HE Xiangning
Affiliation:Zhejiang university,Zhejiang university,Zhejiang university,Zhejiang university
Abstract:Considering the collector current falling rate uncontrollability of Trench/Field-Stop IGBT modules, the carrier extraction model has been introduced to described the storage carrier dynamic behaviors during the collector current falling transition of the IGBT turn-off process. With this model, functional mechanisms of the Active Clamping circuit in IGBT drivers which is integrated to fit this special turn-off characteristic of the Trench/Field-Stop IGBT can be analyzed.
Keywords:Trench/Field-Stop IGBT   collector current falling rate uncontrollability   carrier extraction model   Active Clamping circuit
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