| 微波功率SiGe HBT的温度特性 |
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| 引用本文： | 杨经伟,张万荣,金冬月,邱建军,高攀. 微波功率SiGe HBT的温度特性[J]. 半导体学报, 2006, 27(z1): 231-234 |
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| 作者姓名： | 杨经伟 张万荣 金冬月 邱建军 高攀 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022;辽宁大学物理系,沈阳,110036 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 北京市优秀人才培养基金 , 国家重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 通过研究SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的温度特性,发现SiGe HBT的发射结正向电压随温度的变化率小于同质结Si双极型晶体管(BJT).在提高器件或电路热稳定性时,SiGe HBT可以使用比Si BJT更小的镇流电阻.同时SiGe HBT共发射级输出特性曲线在高电压大电流下具有负阻特性,而负阻效应的存在可以有效地抑制器件的热不稳定性效应,从而在温度特性方面证明了SiGe HBT更适合于微波功率器件.
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| 关 键 词： | SiGe HBT 温度特性 微波功率晶体管 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)S0-0231-04 |
| 修稿时间： | 2005-10-11 |
Temperature Characteristics of Microwave Power SiGe HBTs |
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| Yang Jingwei,Zhang Wanrong,Jin Dongyue,Qiu Jianjun,Gao Pan. Temperature Characteristics of Microwave Power SiGe HBTs[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(z1): 231-234 |
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| Authors: | Yang Jingwei Zhang Wanrong Jin Dongyue Qiu Jianjun Gao Pan |
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