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| 0.18μm CMOS器件低剂量率辐照模拟方法研究 | |
| 作者姓名： | 何宝平 姚志斌 郭红霞 罗尹虹 张凤祁 王圆明 张科营 |
| 作者单位： | Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710613, China;Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710613, China;Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710613, China;Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710613, China;Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710613, China;Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710613, China;Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710613, China |
| 摘 要： | 本文研究了三种低剂量率效应的模拟方法，并利用0.18μm CMOS工艺晶体管进行了实验验证，研究结果表明，用一系列高剂量率辐照样品，两次辐照之间经100oC退火的方法在模拟连续的低剂量率辐照是最好的。该方法节约时间是很可观的，能够减少0.5rad(Si)/s低剂量率实验时间达45倍，而且提供了在低剂量率辐照下器件的详细信息。 |
| 关 键 词： | 关态泄漏电流， 总剂量效应，低剂量率，模拟方法 |
| 收稿时间： | 2008-12-08 |
| 修稿时间： | 2009-02-13 |
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