SnO_2/Si异质结太阳电池的研究 |
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作者姓名: | 江雪生 尹万里 李桐 |
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作者单位: | 北京市太阳能研究所(江雪生,尹万里),北京市太阳能研究所(李桐) |
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摘 要: | 在10cm~2的单晶硅片上,用喷涂热分解法制备了SnO_2/Si异质结太阳电池,在光强为100mW/cm~2(AM1.5)的ELH灯照射下,全面积电池的光电转换效率η=10.79%,其有效面积的效率已达到11.99%。氧化锡膜是喷涂一种四氯化锡的混合物到加热的硅衬底上沉积而成的。这种电池的效率在很大程度上取决于硅和氧化锡之间的二氧化硅绝缘层,其最佳厚度为10—20(?)。文中给出了这种电池的温度系数曲线。
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