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一种低功耗差动CMOS带隙基准源
引用本文:杨卫丽,汪西川,邓霜. 一种低功耗差动CMOS带隙基准源[J]. 微计算机信息, 2005, 9(7): 120-121
作者姓名:杨卫丽  汪西川  邓霜
作者单位:200072,上海大学微电子中心
摘    要:设计了一种采用0.6μmCMOS工艺的低功耗差动带隙基准电压源电路.在设计中采用两个pn结串联结构来减小运放失调电压的影响,并采用自偏置共源共栅运放来改善MOS器件对电源的依赖性.这种带隙基准源输出电压为2V,功耗为2.3mW,温度系数可达到13ppm/℃,主要适用于高精度模拟系统,并带有提高电源抑制比电路和启动电路.

关 键 词:低功耗  基准电压源
文章编号:1008-0570(2005)07-0120-02
修稿时间:2004-11-04

A Low-Power Differential CMOS Bandgap Reference
Yang,weili,Wang,xi-chuan,Deng,shuang. A Low-Power Differential CMOS Bandgap Reference[J]. Control & Automation, 2005, 9(7): 120-121
Authors:Yang  weili  Wang  xi-chuan  Deng  shuang
Abstract:
Keywords:CMOS
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