| 一种具有变深槽电容的横向功率p-MOSFET |
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| 引用本文： | 程骏骥,武世英,陈为真,李欢,杨洪强.一种具有变深槽电容的横向功率p-MOSFET[J].微电子学,2021,51(5):712-716. |
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| 作者姓名： | 程骏骥 武世英 陈为真 李欢 杨洪强 |
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| 作者单位： | 电子科技大学 基础与前沿研究院, 成都 610054;电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054;北京大学 东莞光电研究院, 广东 东莞 523808;中国振华集团永光电子有限公司, 贵阳 550018 |
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| 基金项目： | 中国博士后科学基金资助项目(2020M683286)；四川省科技计划资助项目(2021YJ0373) |
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| 摘 要： | 提出了一种含介质深槽的横向p沟道功率MOSFET(p-MOSFET)。深槽内填充了线性组合的高介电常数(high-k)介质和二氧化硅,以调变寄生的深槽电容(CDT),使CDT充电电荷增大且使该充电电荷沿纵向接近均匀分布。在深槽一侧,通过提高p型漂移区剂量来提供负极板充电电荷,在深槽另一侧,通过增设n型区来提供正极板充电电荷。两侧漂移区的电荷补偿效应均得到增强,器件性能获得提高。仿真结果表明,当击穿电压VB为450 V时,器件的比导通电阻RON,SP为9.5 mΩ·cm2,优值达21.3 MW/cm2,优值为现有器件的2.7倍。该项研究成果为功率集成电路提供了更优的器件选择。
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| 关 键 词： | 深槽 p-MOSFET high-k介质 电荷补偿 |
| 收稿时间： | 2020/11/25 0:00:00 |
A Lateral Power p-MOSFET with Variable Deep-Trench Capacitance |
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| CHENG Junji,WU Shiying,CHEN Weizhen,Li Huan,YANG Hongqiang.A Lateral Power p-MOSFET with Variable Deep-Trench Capacitance[J].Microelectronics,2021,51(5):712-716. |
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| Authors: | CHENG Junji WU Shiying CHEN Weizhen Li Huan YANG Hongqiang |
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| Affiliation: | Institute of Fundamental and Frontier Sciences, Univ.of Elec.Sci.and Technol.of China, Chengdu 610054, P.R.China;State Key Lab.of Elec.Thin Films and Integr.Dev., Univ.of Elec.Sci.and Technol.of China, Chengdu 610054, P.R.China;Dongguan Institute of Opto-Electronics, Peking University, Dongguan, Guangdong 523808, P.R.China;China ZhenHua Group YongGuang Electronics Co., Ltd., Guiyang 550018, P.R.China |
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