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后摩尔时代芯片结构材料的热设计与表征
引用本文:雍国清,张碧,王永康,胡长明,陈云飞. 后摩尔时代芯片结构材料的热设计与表征[J]. 电子机械工程, 2021, 37(5): 1-13
作者姓名:雍国清  张碧  王永康  胡长明  陈云飞
作者单位:东南大学,江苏南京211189;南京电子技术研究所,江苏南京210039;东南大学,江苏南京211189;南京电子技术研究所,江苏南京210039
摘    要:在半导体工业,摩尔定律预测每过2年芯片上晶体管的数量就增加一倍,芯片运行的速度也会增加一倍。目前,超高的热流密度已成为摩尔定律面临的一个瓶颈。微纳结构利用尺寸效应、界面效应和新的材料构成体系,有可能为半导体工业提供颠覆性的技术解决方案。系统研究尺寸效应、应变场和温度场对声子和电子输运规律的影响以及结构相变或尺寸效应对Wiedemann-Franz定律的影响,可以精确理解声子、电子在微纳结构上的输运规律,从而为半导体工业寻找新材料提供精准的技术路线图。

关 键 词:摩尔  片上系统  微纳结构  微区拉曼  导热系数  界面热阻

Thermal Design and Characterization of Chip Structure Materials in Post Moore Era
YONG Guoqing,ZHANG Bi,WANG Yongkang,HU Changming,CHEN Yunfei. Thermal Design and Characterization of Chip Structure Materials in Post Moore Era[J]. Electro-Mechanical Engineering, 2021, 37(5): 1-13
Authors:YONG Guoqing  ZHANG Bi  WANG Yongkang  HU Changming  CHEN Yunfei
Affiliation:Southeast University,Nanjing Research Institute of Electronics Technology
Abstract:
Keywords:Moore   system on chip (SoC)   micro-nano structure   micro-Raman   thermal conductivity   interface thermal resistance
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