| 抗SEB加固功率VDMOS的温度特性研究 |
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| 引用本文： | 徐政,吴素贞,徐海铭,廖远宝,吴锦波,彭时秋,赵文彬.抗SEB加固功率VDMOS的温度特性研究[J].微电子学,2021,51(5):746-750. |
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| 作者姓名： | 徐政 吴素贞 徐海铭 廖远宝 吴锦波 彭时秋 赵文彬 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公团 第五十八研究所, 江苏 无锡 214035 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划专项(2017YFF0104800) |
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| 摘 要： | 仿真研究了300 V抗辐射功率VDMOS器件在不同缓冲层浓度、不同LET值下单粒子烧毁(SEB)效应的温度特性。结果表明,SEB的温度特性与LET值相关,LET值较小时(0.1 pC/μm),SEB电压呈正温度系数特性；LET值较大时(1 pC/μm),SEB电压呈负温度系数特性。重点分析了1 pC/μm LET时离化强度大的条件下SEB电压的碰撞电离分布和晶格温度分布,分析发现,功率VDMOS颈区JFET/P阱的pn结是SEB效应薄弱点,这得到了实验结果的验证。本模型计算的结果表明,当LET值大、器件工作温度高时,功率VDMOS器件的单粒子烧毁风险最大。该项研究结果为抗辐射加固功率VDMOS器件的应用提供技术参考。
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| 关 键 词： | 功率VDMOS 单粒子烧毁 温度特性 抗辐射加固 |
| 收稿时间： | 2020/11/25 0:00:00 |
Study on Temperature Characteristics of SEB Hardened Power VDMOS |
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| XU Zheng,WU Suzhen,XU Haiming,LIAO Yuanbao,WU Jinbo,PENG Shiqiu,ZHAO Wenbin.Study on Temperature Characteristics of SEB Hardened Power VDMOS[J].Microelectronics,2021,51(5):746-750. |
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| Authors: | XU Zheng WU Suzhen XU Haiming LIAO Yuanbao WU Jinbo PENG Shiqiu ZHAO Wenbin |
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| Affiliation: | The 58th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation, Wuxi, Jiangsu 214035, P. R. China |
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