| 一种全MOS高精度基准电压源电路 |
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| 引用本文： | 徐全坤,李儒章,王忠焰,杨潇雨,肖渝.一种全MOS高精度基准电压源电路[J].微电子学,2021,51(5):627-631. |
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| 作者姓名： | 徐全坤 李儒章 王忠焰 杨潇雨 肖渝 |
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| 作者单位： | 重庆邮电大学 光电工程学院/国际半导体学院, 重庆 400065;模拟集成电路国家重点实验室, 重庆 400060;模拟集成电路国家重点实验室, 重庆 400060;中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060 |
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| 基金项目： | 模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(6142802011503) |
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| 摘 要： | 基于0.35 μm CMOS工艺,设计了一种高精度基准电压源电路。采用全MOS管实现电路,避免使用大电阻以减小芯片面积。采用新型可变电阻方法,实现了精确补偿。采用两级式基准电压源,提高了电源抑制比。使用Cadence Virtuoso对该基准电压源进行仿真。结果表明,当温度范围 为-40 ℃~125 ℃ 时,基准电压为1.146 V,温度系数为1.025×10-5 ℃-1。在27 ℃时,静态电流为6.57 μA,PSRR分别为-96.64 dB @100 Hz、-93.94 dB@10 kHz。电源电压在2.9~5 V范围变化时,基准电压的线性调整度为0.047％。该电路适用于低功耗、高精度的模拟集成电路。
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| 关 键 词： | 高精度基准 高电源抑制比 低功耗 预稳压电路 |
| 收稿时间： | 2021/2/4 0:00:00 |
An All MOS High Precision Voltage Reference Source Circuit |
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| XU Quankun,LI Ruzhang,WANG Zhongyan,YANG Xiaoyu,XIAO Yu.An All MOS High Precision Voltage Reference Source Circuit[J].Microelectronics,2021,51(5):627-631. |
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| Authors: | XU Quankun LI Ruzhang WANG Zhongyan YANG Xiaoyu XIAO Yu |
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| Affiliation: | Optoelec.Engineer.College and Int.Semicond.College, Chongqing Univ.of Posts and Telecommun., Chongqing 400065, P.R.China;Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory, Chongqing 400060,P.R.China;Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory, Chongqing 400060,P.R.China;The 24th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation,Chongqing 400060,P.R.China |
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