| 用择优腐蚀技术制作MMI型GaAs光功率分配器 |
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| 引用本文： | 马慧莲,杨建义,李瑾,王明华. 用择优腐蚀技术制作MMI型GaAs光功率分配器[J]. 光通信研究, 2000, 0(5): 50-53,62 |
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| 作者姓名： | 马慧莲 杨建义 李瑾 王明华 |
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| 作者单位： | 浙江大学,信息与电子工程学系,光电子研究室,浙江,杭州,310027 |
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| 摘 要： | 通过对器件结构进行优化设计和择优腐蚀技术 ,用 H3 PO4 - H2 O2 - H2 O系腐蚀液制作了能直接与单模光纤阵列相耦合的 MMI型 Ga As1× 4光功率分配器 .最后用 1 .3 μm波长的He- Ne激光进行了测试 ,发现该器件基本实现了功率均分要求 ,功率离散度为 0 .1 55d B.
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| 关 键 词： | GaAs 择优腐蚀 MMI型 光功率分配器 光通信 |
Optical multi-mode interference power splitter in GaAs fabricated by preferential etching |
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| MA Hui-lian,YANG Jian-yi,LI Jin,WANG Ming-hua. Optical multi-mode interference power splitter in GaAs fabricated by preferential etching[J]. Study on Optical Communications, 2000, 0(5): 50-53,62 |
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| Authors: | MA Hui-lian YANG Jian-yi LI Jin WANG Ming-hua |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs/GaAlAs preferential etching MMI optical sp litter |
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