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| 一种工作在350℃的混合集成SiC微分放大器 | |
| 摘 要： | 采用ＳｉＣＭＥＳＦＥＴ对和厚膜混合集成技术，设计、制作了一种运算放大器，并在３５０℃下进行了测试。在２５～３５０℃温度范围内对这种放大器成功地进行了测试，放大器的增益大于６０ｄＢ，共模抑制比大于５５ｄＢ，在整个温度范围内偏移电压从１３９ｍＶ变化到１５９ｍＶ。这些结果证明了采用ＳｉＣＭＥＳＦＥＴ和厚膜混合集成技术实现高温电路设计和组装的可行性。 |
A Hybrid Silicon Carbide Differential Amplifier for 350℃ Operation |
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| Abstract: | Abstract |
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