低损耗、高Qm值Pb(Nb2/3Mn1/3)O3—Pb(Sb2/3Mn1/3)O3—PZT材料 |
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引用本文: | 秦天 李龙土 等. 低损耗、高Qm值Pb(Nb2/3Mn1/3)O3—Pb(Sb2/3Mn1/3)O3—PZT材料[J]. 压电与声光, 2001, 23(4): 296-298 |
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作者姓名: | 秦天 李龙土 等 |
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作者单位: | [1]清华大学材料科学与工程系,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京100084 [2]清华大学材料科学与工程系,新型 |
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摘 要: | 研究了组分变化及掺杂对四元系Pb(Nb2/3Mn1/3)O3-Pb(Sb2/3Mn1/3)O3-PZT压电材料性能的影响,发现Zr/Ti比值在准同型相界附近该材料有最大的压电常数d33,而机械品质因数Qm值较小;Zr/Ti比偏离该相界时则机械品质因数Qm升高,相应的压电常数d33减小。通过改变Pb(Nb2/3Mn1/3)O3、Pb(Sb2/3Mn1/3)O3两组分的含量及掺入Sr、Ce等杂质,获得的材料介电损耗为0.14%,机械品质因数为2341,压电常数为216pC/N。
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关 键 词: | 压电材料 品质因数 掺杂 PZT材料 |
文章编号: | 1004-2474(2001)04-0296-03 |
修稿时间: | 2001-01-19 |
Investigation of Quaternary Pb(Nb2/3Mn1/3)O3-Pb(Sb2/3Mn1/3)O3-PZTCeramics with Low tan |
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Abstract: | |
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