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| 钽铌电子材料新进展(Ⅱ) | |
| 引用本文： | 何季麟. 钽铌电子材料新进展(Ⅱ)[J]. 中国材料进展, 2004, 23(3) |
| 作者姓名： | 何季麟 |
| 作者单位： | 宁夏东方有色金属集团有限公司,宁夏,石嘴山,753000 |
| 摘 要： | 代表中国钽铌工业整体水平的宁夏东方有色金属集团有限公司,近年来,研究了钽粉的微观结构,开发出降低杂质含量、改善物理性能等新技术以及钠还原Ta2O5制取高比容钽粉、低温钠TaCl5还原制取纳米级钽粉的新工艺方法;研制并生产出性能优良的、适用于钽电容器的高比容钽粉,同时也开发了高比容铌粉、一氧化铌粉的制造新技术,制得高性能的电容器级铌粉和一氧化铌粉,为铌电容器作为一种新型电容器产业参与竞争提供了优质的基础材料. |
| 关 键 词： | 高比容钽粉 高比容铌粉 一氧化铌粉 物理性能 |
Progress in Tantalum and Niobium Electronic Materials (Ⅱ) |
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