| 硼掺杂对PECVD制备的纳米非晶硅薄膜电学行为的影响 |
| |
| 引用本文： | 冯仁华,张溪文,韩高荣.硼掺杂对PECVD制备的纳米非晶硅薄膜电学行为的影响[J].材料科学与工程学报,2008,26(2):226-229. |
| |
| 作者姓名： | 冯仁华 张溪文 韩高荣 |
| |
| 作者单位： | 浙江大学无机非金属材料研究所,浙江杭州,310027 |
| |
| 摘 要： | 本文采用PECVD法制备硼掺杂纳米非晶硅薄膜(na-Si:H),系统研究了掺杂气体比(B2H6/SiH4)、衬底温度Ts、RF电源功率对薄膜电学性能的影响.研究表明,与传统掺硼非品硅不同,随硼掺杂浓度的增加,掺硼na-Si:H薄膜的电导率先减小后增大并最终趋于饱和,其电导激活能E≈0.50eV、σph/σd＞102,具有应用于太阳能电池p型层的潜力.
|
| 关 键 词： | PECVD na-Si:H 掺杂比 激活能 硼掺杂 PECVD 掺杂纳米 非晶硅薄膜 电学行为 影响 Electrical Properties Influence 太阳能电池 应用 电导激活能 电导率 掺杂浓度 掺硼 电学性能 电源功率 衬底温度 气体比 研究 系统 |
| 文章编号： | 1673-2812(2008)02-0226-04 |
| 修稿时间： | 2007年3月10日 |
Influence of Boron-doping on Electrical Properties of na-Si:H Thin Film Prepared by PECVD |
| |
| FENG Ren-hua,ZHANG Xi-wen,HAN Gao-rong.Influence of Boron-doping on Electrical Properties of na-Si:H Thin Film Prepared by PECVD[J].Journal of Materials Science and Engineering,2008,26(2):226-229. |
| |
| Authors: | FENG Ren-hua ZHANG Xi-wen HAN Gao-rong |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
