| 氨化Ga2O3/TiO2/Si薄膜制备GaN纳米线 |
| |
| 引用本文： | 孙莉莉,薛成山,孙传伟,艾玉杰,庄惠照,王福学,陈金华,李红.氨化Ga2O3/TiO2/Si薄膜制备GaN纳米线[J].纳米技术与精密工程,2006,4(4):279-281. |
| |
| 作者姓名： | 孙莉莉 薛成山 孙传伟 艾玉杰 庄惠照 王福学 陈金华 李红 |
| |
| 作者单位： | 山东师范大学半导体研究所,济南,250014 |
| |
| 摘 要： | 为了制备高质量的GaN纳米结构，采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3／TiO2薄膜，然后在950℃时于流动的氨气中进行氨化反应，成功制备出GaN纳米线．采用X射线衍射（XRD）、傅里叶红外吸收光谱（FTIR）、扫描电子显微镜（SEM）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）对样品进行分析．研究结果表明，采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线，纳米线的直径在100～400nm，纳米线的长度在3～10μm．
|
| 关 键 词： | 磁控溅射 纳米线 |
| 文章编号： | 1672-6030（2006）04-0279-03 |
| 收稿时间： | 2006-11-03 |
| 修稿时间： | 2006年11月3日 |
Fabrication of GaN Nanowires by Ammoniating Ga2O3/TiO2/Si Films |
| |
| SUN Li-li,XUE Cheng-Shan,SUN Chuan-wei,AI Yu-jie,ZHUANG Hui-zhao,WANG Fu-xue,CHEN Jin-hua,LI Hong.Fabrication of GaN Nanowires by Ammoniating Ga2O3/TiO2/Si Films[J].Nanotechnology and Precision Engineering,2006,4(4):279-281. |
| |
| Authors: | SUN Li-li XUE Cheng-Shan SUN Chuan-wei AI Yu-jie ZHUANG Hui-zhao WANG Fu-xue CHEN Jin-hua LI Hong |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | GaN TiO2 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
