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| 针对少子寿命提升的扩散工艺优化 | |
| 作者姓名： | 杨佳 杨利利 武建 |
| 作者单位： | 宁夏银星能源电池制造分公司 |
| 摘 要： | 扩散后的方块电阻以70±21/2/为准,经实验发现去PSG后的硅片少子寿命要比扩散后的硅片少子寿命高,对比通源前通氧(A扩散工艺)和不通氧(B扩散工艺)两种扩散工艺扩散的硅片在去PSG后少寿命的涨幅及对最终制成电池片的转换效率的影响,结果表明,A扩散工艺的硅片比B扩散工艺的硅片在去PSG后的少子寿命增量更大,平均增量可达2.50μs,并且最终制成的电池片效率高出0.08%,短路电流增加0.012A,也更具稳定性。: |
| 关 键 词： | 扩散 少子寿命 转换效率: |
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