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DOI
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分类号
杂志ISSN号
三端1.3μmInGaAsP/InP双区共腔激光器
作者姓名:
张权生
石志文
杜云
赵军
颜学进
作者单位:
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
摘 要:
研制成功了弱调Q及强调Q两种三端1.3μmInGaAsP/InP双区共腔激光器,其P/I特性分别呈二极管激射特性和吸收型双稳特性。两种激光器均实现了室温连续(直流)工作,吸收区电极的设置使两种器件的P/I特性均获得了大范围调节。
关 键 词:
三端双区共腔激光器,光双稳,调Q
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