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| 三端1．3μmInGaAsP／InP双区共腔激光器 | |
| 作者姓名： | 张权生 石志文 杜云 赵军 颜学进 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 |
| 摘 要： | 研制成功了弱调Ｑ及强调Ｑ两种三端１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双区共腔激光器，其Ｐ／Ｉ特性分别呈二极管激射特性和吸收型双稳特性。两种激光器均实现了室温连续（直流）工作，吸收区电极的设置使两种器件的Ｐ／Ｉ特性均获得了大范围调节。 |
| 关 键 词： | 三端双区共腔激光器，光双稳，调Q |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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