| TMAH单晶硅腐蚀特性研究 |
| |
| 引用本文： | 邓俊泳,冯勇建.TMAH单晶硅腐蚀特性研究[J].微纳电子技术,2003,40(12):32-34. |
| |
| 作者姓名： | 邓俊泳 冯勇建 |
| |
| 作者单位： | 1. 厦门大学机电工程系,福建,厦门,361005
2. 厦门大学萨本栋微机电研究中心,福建,厦门,361005 |
| |
| 摘 要： | TMAH是一种具有优良的腐蚀性能的各向异性腐蚀剂,选择性好,无毒且不污染环境,最重要的是TMAH与CMOS工艺相兼容,符合SOC的发展趋势。TMAH正逐渐替代KOH和其他腐蚀液,成为实现MEMS工艺中微三维结构的主要腐蚀剂。本文着重介绍了TMAH的特性、工艺条件及应用。
|
| 关 键 词： | 四甲基氢氧化氨 各向异性腐蚀 微机电系统 |
| 文章编号： | 1671-4776(2003)12-0032-03 |
| 修稿时间： | 2003年4月8日 |
Studies on characteristic of TMAH etch |
| |
| DENG Jun-yong ,FENG Yong-jian.Studies on characteristic of TMAH etch[J].Micronanoelectronic Technology,2003,40(12):32-34. |
| |
| Authors: | DENG Jun-yong FENG Yong-jian |
| |
| Affiliation: | DENG Jun-yong 1,FENG Yong-jian 2 |
| |
| Abstract: | Polyimide can resist high temperature and etching,and has excellent properties of in-sulation and chemical stabilization,it would be applied widely in MEMS process,especially befit to be used as sacrificing layer,insulating layer,smooth layer,etc.Based on the simple intro-duction of polyimide,the characteristic,process flow and applications in MEMS will be intro-duced emphatically. |
| |
| Keywords: | TMAH anisotropic etching MEMS MEMS |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
