| An Analytical Threshold Voltage Model for Fully Depleted SOI MOSFETs |
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| 引用本文： | Li Ruizhen,Han Zhengsheng. An Analytical Threshold Voltage Model for Fully Depleted SOI MOSFETs[J]. 半导体学报, 2005, 26(12): 2303-2308 |
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| 作者姓名： | Li Ruizhen Han Zhengsheng |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京100029 |
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| 摘 要： | 提出了一种新的全耗尽SOI MOSFETs阈值电压二维解析模型.通过求解二维泊松方程得到器件有源层的二维电势分布函数,氧化层-硅界面处的电势最小值用于监测SOI MOSFETs的阈值电压.通过对不同栅长、栅氧厚度、硅膜厚度和沟道掺杂浓度的SOI MOSFETs的MEDICI模拟结果的比较,验证了该模型,并取得了很好的一致性.
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| 关 键 词： | 全耗尽SOI MOSFETs 表面势 阈值电压 fully depleted SOI MOSFETs surface potential threshold voltage 全耗尽 Fully Depleted SOI MOSFETs 阈值电压 解析模型 Model Threshold Voltage channel doping concentrations silicon film oxide MEDICI simulation different gate minimum potential distribution active layer interface used |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)12-2303-06 |
| 修稿时间： | 2005-05-24 |
An Analytical Threshold Voltage Model for Fully Depleted SOI MOSFETs |
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| Li Ruizhen and Han Zhengsheng. An Analytical Threshold Voltage Model for Fully Depleted SOI MOSFETs[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(12): 2303-2308 |
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| Authors: | Li Ruizhen and Han Zhengsheng |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | fully depleted SOI MOSFETs surface potential threshold voltage |
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