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| 用于改善PtSi红外焦平面阵列器件响应特性的长焦距GaAs微透镜阵列器件的制作研究 | |
| 引用本文： | 何苗,易新建,程祖海,刘鲁勤,王英瑞.用于改善PtSi红外焦平面阵列器件响应特性的长焦距GaAs微透镜阵列器件的制作研究[J].红外与毫米波学报,2001,20(5). |
| 作者姓名： | 何苗 易新建 程祖海 刘鲁勤 王英瑞 |
| 作者单位： | 何苗,易新建,程祖海(华中科技大学);刘鲁勤,王英瑞(中国航天总公司二院25所) |
| 基金项目： | 国防重点实验室基金，国家自然科学基金 |
| 摘 要： | 提出了一种新的曲率补偿法用于长焦距微透镜阵列的制作.扫描电子显微镜(SEM)显示微透镜阵列为表面极为平缓的方底拱形阵列,表面探针测试结果显示用曲率补偿法制作的微透镜的焦距可达到3861.70μm,而常规光刻热熔法很难制作出焦距超过200μm的相同尺寸的微透镜阵列.微透镜阵列器件与红外焦平面阵列器件在红外显微镜下对准胶合,显著改善了红外焦平面阵列器件的响应特性. |
| 关 键 词： | 微透镜阵列 离子束刻蚀 组合器件 红外焦平面阵列器件 |
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