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CVD法合成SiC晶须的实验研究
引用本文:陈卫武,邹宗树,王天明.CVD法合成SiC晶须的实验研究[J].金属学报,1997,33(6):643-649.
作者姓名:陈卫武  邹宗树  王天明
作者单位:东北大学!沈阳,110006,东北大学!沈阳,110006,东北大学!沈阳,110006
摘    要:利用简单的实验设备,特殊的金属丝作触媒,以SiO2和C为原料,利用碳热还原反应生成的SiO和CO,通过CVD的方法快速合成α-SiC晶须,用光学显微镜研究了晶须的生长速度,通过TEM研究α-SiC晶须的结构和生长方式。讨论了这种方法中α-SiC晶须生长的热力学条件,机理及生长动力学模型。

关 键 词:CVD  合成  热力学  动力学模型  碳化硅  晶须
收稿时间:1997-06-18
修稿时间:1997-06-18

NEW PROCESS FOR SYNTHETIC SiC WHISKERS BY CVD
CHEN Weiwu,ZOU Zongshu,WANG Tianming.NEW PROCESS FOR SYNTHETIC SiC WHISKERS BY CVD[J].Acta Metallurgica Sinica,1997,33(6):643-649.
Authors:CHEN Weiwu  ZOU Zongshu  WANG Tianming
Affiliation:CHEN Weiwu,ZOU Zongshu,WANG Tianming(Northeastern University,Shenyang)
Abstract:
Keywords:synthesis of SiC whisker  CVD method  growth rate  crystalline characteristics  kinetic model  
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