| 纳米硅/晶体硅异质结太阳电池的优化设计 |
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| 引用本文： | 汪礼胜,祝霁沼,陈凤翔. 纳米硅/晶体硅异质结太阳电池的优化设计[J]. 半导体光电, 2011, 32(4): 478-483 |
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| 作者姓名： | 汪礼胜 祝霁沼 陈凤翔 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学理学院物理科学与技术系,武汉,430070 |
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| 基金项目： | 中央高校基本科研业务费专项资金资助(2010-1a-019) |
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| 摘 要： | 采用AFORS-HET软件对TCO/nc-SiC∶H（p）/nc-Si∶H（i）/c-Si（n）/nc-Si∶H（n＋）/Al异质结太阳电池进行了模拟,分别讨论了窗口层、本征层、界面态和背场对太阳电池性能参数的影响。模拟结果表明,厚度尽可能薄的p层能减少入射光及光生载流子在窗口层的损失,对应最佳的窗口层禁带宽度为1.95eV。本征层的引入主要是钝化异质结界面,降低界面态的影响,提高电池转换效率。合理的背场设计可提高电池的转换效率1.7个百分点左右,此时最佳的异质结太阳电池的性能参数为：开路电压Voc=696.1mV,短路电流密度Jsc=38.49mA/cm^2,填充因子FF=83.52%,转换效率η=22.38%。
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| 关 键 词： | 氢化纳米碳化硅 异质结太阳电池 优化设计 AFORS-HET |
Optimization of nc-SiC:H(p)/c-Si(n) Heterojunction Solar Cells |
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| WANG Lisheng,ZHU Jiming,CHEN Fengxiang. Optimization of nc-SiC:H(p)/c-Si(n) Heterojunction Solar Cells[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2011, 32(4): 478-483 |
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| Authors: | WANG Lisheng ZHU Jiming CHEN Fengxiang |
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| Affiliation: | (Department of Physics Science and Technology,Wuhan University of Technology,Wuhan 430070,CHN) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | no-SiC H heterojunction solar cell optimized design AFORS-HET |
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