| LiF层作为空穴阻挡层的绿色OLED的光电性能研究 |
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| 引用本文： | 杨惠山.LiF层作为空穴阻挡层的绿色OLED的光电性能研究[J].半导体光电,2011,32(4):462-464,468. |
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| 作者姓名： | 杨惠山 |
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| 作者单位： | 泉州师范学院物理与信息工程学院,福建泉州,362000 |
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| 基金项目： | 泉州市优秀人才培养专项经费资助项目(08A23);福建省科技计划项目资助省属高校项目(2008F5054);泉州市科技局基金项目(2007G8) |
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| 摘 要： | 采用真空热蒸镀方法,制备了四种Delta掺杂结构OLED器件,其结构为：ITO/m-MTDATA（50nm）/LiF（xnm）/NPB（10nm）/Alq（5nm）/C545T（0.05nm）/Alq（55nm）/LiF（1nm）/Al,都获得了性能稳定的绿色OLED器件。从实验结果分析可知：绿色OLED器件的电流-电压（I-V）特性曲线、亮度-电压（L-V）曲线、亮度-电流（L-I）曲线及效率等光电性能随着LiF厚度的变化而随之改变。从其中总结规律,对OLED器件制作工艺有一定的指导作用。
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| 关 键 词： | 多层结构 有机电致发光 Delta掺杂 光电性能 |
Photoelectric Properties of Green OLED with LiF Hole Blocking Layer |
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| YANG Huishan.Photoelectric Properties of Green OLED with LiF Hole Blocking Layer[J].Semiconductor Optoelectronics,2011,32(4):462-464,468. |
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| Authors: | YANG Huishan |
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| Affiliation: | YANG Huishan(College of Physics and Information Engineering,Quanzhou Normal University,Quanzhou 362000,CHN) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | multilayer structure organic light-emitting device Delta doping optoelectronic performance |
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