| ZnO同质pn结发光二极管研究进展 |
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| 引用本文： | 薛书文. ZnO同质pn结发光二极管研究进展[J]. 半导体光电, 2011, 32(4): 455-458 |
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| 作者姓名： | 薛书文 |
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| 作者单位： | 湛江师范学院物理系,广东湛江,524048 |
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| 摘 要： | 氧化锌是一种在短波长光电器件领域有巨大应用价值的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,制备性能优良的ZnO同质结是ZnO在光电器件领域获得应用的关键之一。文章综述了近几年ZnO同质结发光二极管研究进展,详细介绍了各种结构ZnO同质结发光二极管的最新研究成果和存在的问题,并对ZnO同质结发光二极管的发展趋势进行了展望。
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| 关 键 词： | 氧化锌 同质结 发光二极管 光电器件 |
Progress in ZnO Homogeneous pn Junction Light Emitting Diode |
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| XUE Shuwen. Progress in ZnO Homogeneous pn Junction Light Emitting Diode[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2011, 32(4): 455-458 |
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| Authors: | XUE Shuwen |
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| Affiliation: | XUE Shuwen(Department of Physics,Zhanjiang Normal College,Zhanjiang 524048,CHN) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO homogeneous junction light emitting diode optoelectronic device |
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