| 980 nm高功率列阵半导体激光器 |
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| 引用本文： | 曲轶,高欣,薄报学,张兴德,石家纬.980 nm高功率列阵半导体激光器[J].大气与环境光学学报,2001(6). |
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| 作者姓名： | 曲轶 高欣 薄报学 张兴德 石家纬 |
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| 作者单位： | 吉林大学电子工程系，长春光学精密机械学院，高功率半导体激光国家重点实验室，吉林大学电子工程系，长春光学精密机械学院，高功率半导体激光国家重点实验室，吉林大学电子工程系 长春 130023 长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室 长春130022，长春130022 |
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| 基金项目： | 吉林省科技发展计划资助项目 |
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| 摘 要： | 分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素．利用分子束外延生长方法生长出ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱激光器材料．利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续（１００ Ｈｚ，１００ μｓ）输出功率达到 ８０Ｗ（室温），峰值波长为 ９７８～９８１ｎｍ．
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| 关 键 词： | 分子束外延 列阵 半导体激光器 |
980nm High Power Array Semiconductor Lasers |
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| Qu Yi,GaoXin,Bo Baoxue,Zhang Xiangde,Shi jiawei.980nm High Power Array Semiconductor Lasers[J].Journal of Atmospheric and Environmental Optics,2001(6). |
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| Authors: | Qu Yi GaoXin Bo Baoxue Zhang Xiangde Shi jiawei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MBE array semiconductor lasers |
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