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| 衬底及其温度对铝诱导非晶硅薄膜晶化的影响 | |
| 引用本文： | 段良飞,张力元,杨培志,等.衬底及其温度对铝诱导非晶硅薄膜晶化的影响[J].太阳能学报,2015,36(7):1556-1560. |
| 作者姓名： | 段良飞 张力元 杨培志 等 |
| 摘 要： | 利用磁控溅射镀膜技术,采用不同温度在玻璃、单晶硅衬底上溅射α-Si/Al膜,并在N_2气氛中进行快速光热退火;利用X射线衍射(XRD)仪和拉曼散射光谱仪对薄膜样品进行表征分析。结果表明:单晶硅衬底有利于α-Si/Al膜的晶化;衬底温度从室温到200℃之间逐渐升高,薄膜的晶粒尺寸及晶化率增加;随着温度进一步升高,薄膜的晶粒尺寸及晶化率又降低。单晶硅衬底上200℃时α-Si/Al膜可直接晶化。通过计算,得出衬底参数对薄膜的晶相比、晶粒尺寸、带隙及界面体积分数的调制关系。 |
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