低速率沉积非晶硅薄膜钝化Cz-Si片的研究 |
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引用本文: | 龚洪勇,黄海宾,高江,等.低速率沉积非晶硅薄膜钝化Cz-Si片的研究[J].太阳能学报,2015,36(3):529-533. |
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作者姓名: | 龚洪勇 黄海宾 高江 等 |
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摘 要: | 采用PECVD法在低沉积速率(1?/s)条件下制备非晶硅,双面钝化n型Cz硅片(40 mm×40 mm),钝化最好的硅片平均少子寿命值为889μs,局部最高近1600μs,用准稳态光电导法测试的平均伪开路电压i Voc达722 m V。对FTIR测试结果分析表明:非晶硅薄膜中的Si H2与Si H键的相对数量对钝化效果具有重要影响。
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