| 低介电常数纳米多孔二氧化硅薄膜的制备 |
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| 引用本文： | 王娟,张长瑞,冯坚.低介电常数纳米多孔二氧化硅薄膜的制备[J].稀有金属材料与工程,2004,33(Z1):141-144. |
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| 作者姓名： | 王娟 张长瑞 冯坚 |
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| 作者单位： | 国防科学技术大学,新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室,湖南,长沙,410073 |
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| 基金项目： | 国防预研项目资助(41312040307) |
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| 摘 要： | 以正硅酸乙酯为原料,采用溶胶-凝胶法、旋转涂胶和超临界干燥工艺在硅片上制备了纳米多孔SiO2薄膜.用近线性生长模型和分形生长模型研究了SiO2溶胶的粘度-时间曲线,确定了SiO2溶胶的结构演变过程.适合旋转涂胶的SiO2溶胶的粘度为9 mPa·s～15 mPa·s;旋转涂胶时SiO2溶胶的粒子尺寸与其浓度密切相关.该SiO2薄膜具有三维网络结构,表面均匀平整,SiO2微粒直径为10nm～20 nm.SiO2薄膜的厚度为400nm～1 000nm;折射率为1.09～1.24;介电常数为1.5～2.5.
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| 关 键 词： | 纳米多孔二氧化硅薄膜 溶胶-凝胶 低介电常数 粘度 |
| 文章编号： | 1002-185X(2004)S3-141-04 |
| 修稿时间： | 2004年5月29日 |
Preparation of Nanoporous Silica Films with Low Dielectric Constant |
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| Wang Juan,Zhang Changrui,Feng Jian.Preparation of Nanoporous Silica Films with Low Dielectric Constant[J].Rare Metal Materials and Engineering,2004,33(Z1):141-144. |
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| Authors: | Wang Juan Zhang Changrui Feng Jian |
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