| 硅脉冲双极型微波功率管参数退化探索 |
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| 引用本文： | 潘金辉,来萍,李斌,廖超. 硅脉冲双极型微波功率管参数退化探索[J]. 电子产品可靠性与环境试验, 2009, 27(1) |
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| 作者姓名： | 潘金辉 来萍 李斌 廖超 |
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| 作者单位： | 华南理工大学电子与信息学院,广东,广州,510640;工业和信息化部电子第五研究所,广东,广州,510610;工业和信息化部电子第五研究所,广东,广州,510610;华南理工大学电子与信息学院,广东,广州,510640 |
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| 基金项目： | 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 首先提出了硅脉冲双极型微波功率晶体等在应用中会出现功率增益、饱和压降以及EB结反向击穿电压参数的退化现象,并对此进行了研究探索.测试了良品和失效品EB结的正向特性和C-V特性.通过比较分析两者的区别,从理论推导并得出了退化的一大原因是由于基区浓度值的减小以及浓度梯度降低的结论.分析表明,导致基区浓度发生变化的原因是器件长期工作在高温下而发生了杂质再扩散.
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| 关 键 词： | 微波功率晶体管 参数退化 功率增益 饱和压降 击穿电压 |
Study on the Parameter Degradation of Silicon Microwave Pulsed Power Transistor |
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| PAN Jin-hui,LAI Ping,LI Bin,LIAO Chao. Study on the Parameter Degradation of Silicon Microwave Pulsed Power Transistor[J]. Electronic Product Reliability and Environmental Testing, 2009, 27(1) |
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| Authors: | PAN Jin-hui LAI Ping LI Bin LIAO Chao |
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| Affiliation: | 1. Microelectronic institute of South China University of Technology;Guangzhou 510640;China;2. CEPREI;Guangzhou 510610;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | microwave power transistor parameter degradation power gain saturation voltage drop breakdown voltage |
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