| SiC陶瓷真空钎焊接头界面结构及机理分析 |
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| 引用本文： | 冯广杰,李卓然,徐慨,刘文波.SiC陶瓷真空钎焊接头界面结构及机理分析[J].焊接学报,2014(1). |
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| 作者姓名： | 冯广杰 李卓然 徐慨 刘文波 |
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| 作者单位： | 哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点试验室;哈尔滨东安机电制造有限责任公司; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(51075101) |
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| 摘 要： | 采用Ti-Zr-Ni-Cu钎料对SiC陶瓷进行了真空钎焊,研究了SiC陶瓷真空钎焊接头的界面显微组织和界面形成机理.试验中采用扫描电子显微镜(SEM)对接头组织进行了观察,并进行了局部能谱分析.结果表明,接头界面产物主要有TiC,Ti5Si3,Zr2Si,Zr(s,s),Ti(s,s)+Ti2(Cu,Ni)和(Ti,Zr)(Ni,Cu)等.接头的界面结构可以表示为:SiC/TiC/Ti5Si3+Zr2Si/Zr(s,s)/Ti(s,s)+Ti2(Cu,Ni)/(Ti,Zr)(Ni,Cu).钎焊过程分为五个阶段:钎料与母材的物理接触;钎料熔化和陶瓷侧反应层开始形成;钎料液相向母材扩散、陶瓷侧反应层厚度增加,钎缝中液相成分均匀化;陶瓷侧反应层终止及过共晶组织形成;钎缝中心金属间化合物凝固.在钎焊温度960℃,保温时间10 min时,接头抗剪强度可达110 MPa.
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| 关 键 词： | 陶瓷 真空钎焊 显微组织 机理 |
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