| MOCVD生长的硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱和多量子阱激光器深能级研究 |
| |
| 引用本文： | 卢励吾,周洁,庄婉如,梅野正義.MOCVD生长的硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱和多量子阱激光器深能级研究[J].半导体学报,1992,13(3):155-161. |
| |
| 作者姓名： | 卢励吾 周洁 庄婉如 梅野正義 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室，中国科学院半导体研究所集成光电子学联合实验室半导体所实验区，日本名古屋工业大学电气情报工学科 北京100083，北京100083，北京 |
| |
| 摘 要： | 应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究经MOCVD生长的硅衬底上GaAlAs/GaAs 单量子阱和多量子阱激光器深能级.样品的 DLTS谱表明,在激光器的量子阱和 n-GaAlAs 限制层里均存在着一个浓度和俘获截面较大的高温电子陷阱,该陷阱可能与MOCVD生长工艺和质子轰击引进的损伤有关,它直接影响激光器的性能.DX中心和高温电子陷阱在量子阱里可能局域在GaAlAs/GaAs层的界面附近.
|
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
